NEWS / KIOXIA und WD präsentieren BiCS-Flash mit 218 Lagen

KIOXIA Europe und Western Digital geben Details zu ihrer neuesten 3D-Flash-Speichertechnologie bekannt. Durch den Einsatz fortschrittlicher Skalierungs- und Waferbond-Technologien ermöglicht der 3D-Flash-Speicher eine außergewöhnliche Kapazität, Leistung und Zuverlässigkeit zu einem günstigen Preis. Damit eignet er sich perfekt, um die Anforderungen aufgrund des exponentiellen Datenwachstums in zahlreichen Marktsegmenten zu bewältigen.

„Der neue 3D-Flash-Speicher unterstreicht die Stärke unserer Partnerschaft mit KIOXIA und demonstriert die gemeinsame Führungsrolle bei Innovationen. Durch eine gemeinsame F&E-Roadmap und kontinuierliche Investitionen in Forschung und Entwicklung konnten wir diese grundlegende Technologie früher als geplant zur Produktreife führen und hochleistungsfähige, kosteneffiziente Lösungen anbieten.“

Alper Ilkbahar, Senior Vice President of Technology & Strategy bei Western Digital

KIOXIA und Western Digital präsentieren neuesten 3D-Flash-Speicher. (Bildquelle: KIOXIA)

KIOXIA und Western Digital konnten durch den Einsatz spezieller Prozesse und Architekturen die Kosten senken und erzielten damit weitere Fortschritte bei der lateralen Skalierung. Dieses Gleichgewicht zwischen vertikaler und lateraler Skalierung ermöglicht eine höhere Kapazität auf einem kleineren Chip mit weniger Schichten zu optimierten Kosten. Die beiden Unternehmen haben zudem die wegweisende CBA-Technologie (CMOS directly Bonded to Array) entwickelt, bei der alle einzelnen CMOS- und Cell-Array-Wafer separat in optimierter Form hergestellt und dann miteinander verbunden werden. So werden eine höhere Bitdichte und NAND-I/O-Geschwindigkeit erreicht.

„Durch unsere einzigartige technische Kooperation ist es uns gelungen, die achte Generation von BiCS FLASH mit der branchenweit höchsten Bitdichte auf den Markt zu bringen. Ich freue mich, dass KIOXIA mit der Auslieferung von Mustern für eine begrenzte Anzahl von Kunden bereits begonnen hat. Durch den Einsatz von CBA-Technologie und Skalierungsinnovationen konnten wir unser Portfolio an 3D-Flash-Speichertechnologien für den Einsatz in verschiedenen datenzentrierten Anwendungen wie Smartphones, IoT-Geräten und Rechenzentren weiterentwickeln.“

Masaki Momodomi, Chief Technology Officer der KIOXIA Corporation

Der 218-lagige 3D-Flash-Speicher nutzt 1 TB Triple-Level-Cell (TLC) und Quad-Level-Cell (QLC) mit vier Ebenen. Die innovative Lateral-Shrink-Technologie erhöht die Bitdichte um über 50 Prozent. Die High-Speed-NAND-I/O mit über 3,2 Gb/s hat eine 60-prozentige Verbesserung gegenüber der Vorgängergeneration. Kombiniert mit einer 20-prozentigen Verbesserung der Schreibleistung und der Leselatenz sorgt sie für eine höhere Gesamtleistung und mehr Benutzerfreundlichkeit für die Anwender.