NEWS / Samsung 3 Bit NAND-Flash mit 128 GB für Mobilgeräte

Samsung Electronics stellt einen hochleistungsfähigen Mobile-Memory-Speicher in Embedded-MultimediaCard-5.0-Technologie (eMMC) vor. Das neue 3 Bit eMMC NAND Flash Memory verfügt über eine Speicherkapazität von 128 GB und wurde speziell für die Smartphone- und Tablet-Massenmärkte entwickelt. Während sich bei Smartphone-Spitzenmodellen eine Entwicklung hin zu Geräten mit Speicherkapazitäten von 128 GB und auf der Basis von Universal Flash Storage 2.0 (UFS) oder eMMC 5.1 Standards abzeichnet, wird man künftig auch bei Mittelklasse-Smartphones die Speicherkapazität auf 128 GB anheben können. Samsungs neues 3 Bit 128 GB eMMC 5.0 Memory beschleunigt diesen Übergang als eMMC-5.0-Lösung.

Das neue 128 GB Memory mit eMMC 5.0 erreicht 260 MB/s beim sequenziellen Lesen von Daten. Dies ist die gleiche Leistungsfähigkeit wie sie auch das MLC NAND-basierte eMMC 5.1 Memory erreicht. Für wahlfreie Lese- und Schreib-Operationen sind bis zu 6.000 IOPS (Input/Output Operations per Second) bzw. 5.000 IOPS spezifiziert. Diese IOPS-Geschwindigkeiten sind ausreichend für die Verarbeitung von High-Definition-Video und für innovative Multitasking-Funktionen. Gegenüber einer typischen externen Speicherkarte sind diese IOPS-Geschwindigkeiten vier bzw. zehn Mal höher.