NEWS / Intel und Micron stellen ersten 20 nm NAND-Flash vor

Intel und Micron Technology stellen ihre neu entwickelte 20 Nanometer (nm) Technologie zur Herstellung von NAND-Flash-Speichern vor. Basierend auf dem neuen 20 nm Herstellungsprozess kommen acht Gigabyte (GB) große Multi Level Cell (MLC) NAND-Flash auf den Markt. Diese eignen sich dank hoher Kapazität und geringer Größe ideal für den Einsatz in Smartphones, Tablets oder Solid State Laufwerken (SSDs) für die Speicherung von Musik, Videos, Bücher und anderen Daten.

Die neuen 20 nm 8 GB Produkte messen gerade einmal 118 mm². Verglichen mit Intels derzeitigem 25 nm 8 GB NAND Modell (131 mm²) ermöglichen sie es somit, die Ausmaße der Hauptplatine (abhängig vom Gehäusetyp) um bis zu 40 Prozent zu verringern. Die erhebliche Verkleinerung des Flash Speichers trägt dazu bei, die Effizienz und Funktionalität von Tablets und Smartphones zu verbessern. Hersteller können den gewonnenen Raum mit einer größeren Batterie, einem breiteren Bildschirm oder einem weiteren Chip für neue Anwendungen füllen.

Das Schrumpfen der NAND-Lithographie ist die kosteneffizienteste Lösung um die Produktion der Fabriken signifikant zu steigern. So stellt der neue Herstellungsprozess im Vergleich zum aktuellen 25nm Verfahren rund 50 Prozent mehr an Speicherkapazität in GB zur Verfügung, während in punkto Leistung und Zuverlässigkeit ähnliche Werte erreicht werden.

Prototypen der 20 nm 8 GB Geräte sind bereits in Produktion, die Serienfertigung beginnt voraussichtlich im zweiten Halbjahr 2011. Bis dahin wollen Intel und Micron auch erste 16 GB NAND-Flash-Speicher präsentieren, die dann auf der Fläche einer Briefmarke insgesamt bis zu 128 GB Speicherkapazität bieten und in eine Single Solid State Speicherlösung integriert sind.