Samsung gibt die Entwicklung und Bemusterung von 100, 200 und 400 Gigabyte Multi-Level-Cell (MLC) Solid State Drives (SSDs) für den Einsatz als Hauptspeicher in Enterprise-Storage-Systemen bekannt. Durch die Nutzung von 30 nm MLC NAND-Flash-Chips mit einer Toggle-DDR-Schnittstelle und einem Controller mit 3 Gb/s (Gigabit pro Sekunde) schnellem SATA-Interface reicht die Performance der neuen MLC-basierten SSDs an einige der derzeit auf dem Markt angebotenen SLC NAND-basierten SSDs heran oder übertrifft diese sogar, so das Unternehmen in seiner Pressemitteilung. Die neuen Laufwerke auf Halbleiterbasis können zufällige Lesebefehle mit 43.000 IOPS (Input/Outputs pro Sekunde) und zufällige Schreibbefehle mit 11.000 IOPS verarbeiten.
Mit den neuen SSDs erweitert Samsung sein Produktangebot, welches bereits SSDs für Server- und Storage-Applikationen mit 2,5 Zoll und 50, 60, 100 bzw. 120 GB SSDs auf der Basis von SLC NAND Flash-Memory umfasst, um 2,5 Zoll 100, 200 bzw. 400 GB SSDs auf der Basis von MLC NAND-Flash-Speicher. Samsung bietet bereits auch 3,5 Zoll SLC-basierte SSDs mit 100 und 200 GB an. Mit der Massenproduktion seiner MLC-basierten SSDs für Unternehmensanwendungen wird Samsung nächsten Monat beginnen.
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