Wie in den bisherigen CeBIT-Jahren, sind wir auch dieses Mal wieder bemüht einige Neuheiten aus der Welt der IT für unsere Leser zu bündeln. Explizit haben wir uns dabei mit dem Thema DDR3 beschäftigt und einige interessante Informationen zusammengetragen.
Beginnen wir mit den Spezifikationen. Die Schnittmenge der Informationen die wir von verschiedenen Speicherherstellern erhalten haben, sehen aktuell folgende Geschwindigkeitsklassen für die dritte DDR-Generation vor, was prinzipiell bereits länger bekannt ist: DDR3-800, DDR3-1066, DDR3-1333 und DDR3-1600. Dabei hat man erneut die Versorgungsspannung der Chips nach unten korrigiert und so schreibt die JEDEC (Joint Electron Device Engineering Council) nun nur noch 1,5 Volt (+/- 5%) vor. Neben weiteren Features wie der On-Die-Termination zur Steigerung der Signalqualität und einem integrierten Sensor zur Erfassung der Temperaturen, hat man auch die Länge des Prefetch überdacht. So kann DDR3-SDRAM bis zu acht Datenbits pro Pin in zwei Taktzyklen übertragen. Bei einer Anbindung von 64 Bit entsteht pro Modul künftig eine Bandbreite von bis zu 12,8 Gigabyte pro Sekunde (im Falle von DDR3-1600), was im Dual-Channel-Betrieb sogar 25,6 Gigabyte Durchsatz bedeutet.
Ein weiteres Thema waren natürlich die Timings. Nach aktuellem Stand der Dinge scheint man sich auf Standard-Timings von 5-5-5-X für DDR3-800 bzw. 7-7-7-X für DDR3-1066 festgelegt zu haben - bei 1,5 Volt Vdd. Inwiefern hier durch zusätzliche Spannung die Latenzen noch gedrückt werden können und was bis zur Markteinführung möglich sein wird, steht aktuell noch auf einem anderen Blatt geschrieben. Sicher ist jedoch, dass es auf der ganzen Messe noch keine finalen Module zu sehen gab und alle Hersteller noch Potenzial für Verbesserungen in ihren DDR3-Modulen sehen. Wir sind gespannt...
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