Der Halbleiterhersteller Infineon hat auf dem VLSI Symposium in Hawaii gemeinsam mit IBM den ersten 16-Mbit-Magnetoresistive-RAM-Prototypen MRAM). Es handelt sich dabei laut Infineon um den bisher leistungsfähigsten Prototypen des Speicherchips mit der neuen MRAM-Technologie.
MRAM-Chips speichern die Informationen mit einer magnetischen Ladung und nicht mehr, wie herkömmliche Speicherchips in elektrischen Ladungen. Während die Arbeitsspeicher von Computern bislang ständig unter Strom gehalten werden müssen, bleiben die Informationen auf MRAM-Speichern auch nach dem Ausschalten erhalten, vergleichbar mit der Festplatte eines Rechners. Damit wird auch sicher gestellt, dass die aktuellen Daten auch bei einem Stromausfall nicht verloren gehen.
MRAM-Chips erlauben den nahezu unmittelbaren Zugriff auf das
Speichermedium. Zum Vergleich: Im Gegensatz zu den bisher in USB-Sticks, Pocket-Computern oder Digitalkameras verwendeten nicht-flüchtigen Flash-Speichern, ist der 16-Mbit-MRAM-Chip von Infineon etwa 1000-mal schneller. Überdies kann man in einer MRAM Speicherzelle bis zu 1 Million-mal öfter Informationen speichern als bei Flash-Bausteinen.
Die hohe Speicherkapazität des 16-Mbit-Chips wurde durch die Verwendung einer 1,4 Quadratmikrometer kleinen Zelle (das entspricht 16 Mio. Einzelzellen) erreicht. Im Vergleich hätten auf der Querschnittsfläche eines Haares 5000 Speicherzellen Platz. Infineon hat die MRAM-Chips seit dem Jahr 2000 in Kooperation mit IBM entwickelt. Die Technologie wurde vor kurzem an Altis, ein Joint Venture der beiden Unternehmen in Frankreich, transferiert.
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