NEWS / EUV: Intel setzt nächsten Entwicklungsschritt

Die Intel Corporation hat nach eigenen Angaben die weltweit erste kommerzielle EUV Lithographie Anlage in Betrieb genommen und eine Pilotanlage zur Produktion von EUV Masken eingerichtet. Laut Intel wird die derzeitige Belichtungstechnik ihre Grenzen in wenigen Jahren erreicht haben, die Extrem Ultraviolett (EUV) Technik soll ab 2009 in der Massenfertigung eingesetzt werden.

Intel will durch die Verwendung des EUV Micro Exposure Tool (MET) und der Pilotanlage zur Herstellung von EUV Masken Schaltkreise herstellen, deren Strukturen nur rund 30 nm klein sind. Dabei werden die weltweit ersten, für diese Technik erhältlichen Maschinen zum Einsatz kommen. Die Testproduktion dient der Vorbereitung auf eine Auflösung von 15 nm, die bei Eintritt der EUV Lithographie in die Produktion benötigt wird. Zum Vergleich: Die kleinsten Strukturen, die derzeit in den Fertigungsanlagen von Intel hergestellt werden, haben eine Größe von 50 nm. Die EUV Lithographie verwendet Licht mit einer Wellenlänge von nur noch 13,5 nm. Zum Vergleich: Heute eingesetzte Verfahren nutzen Licht der Wellenlänge 193 nm.

Intel will mit dem MET die derzeit noch bestehenden technischen Probleme im Rahmen der Entwicklung der EUV Lithographie lösen. Dazu gehört die chemische Zusammensetzung des Fotolacks, der beim Bedrucken der Chips benötigt wird. Außerdem wird die Auswirkung von Maskendefekten beobachtet. Darunter sind Mängel in der Maske zu verstehen, mit der das Schaltkreismuster auf den Chip übertragen wird. Mit dem MET optimiert Intel zudem die Variablen, die beim Druck der winzigen Strukturen in der Massenfertigung eine Rolle spielen.

Neben dem MET hat Intel auch eine Pilotanlage für die Herstellung von EUV Masken installiert. Sie stellt die Grundlage für die zukünftige Maskenproduktion dar, die Intel intern vornehmen will. Die Pilotanlage koppelt EUV-spezifische Module an den bestehenden, betriebseigenen Masken-herstellungsprozess. Die Anlage verwendet das weltweit erste kommerzielle Tool zur Herstellung von EUV Masken.