NEWS / SiS, Samsung und Rambus entwickeln 4-Kanal RDRAM Chipsatz

24.02.2003 06:30 Uhr    Kommentare

SiS R659, so wird der neue Pentium IV Chipsatz heisen, an dessen Entwicklung gleich drei große Unternehmen tatkräftig mitwirken werden: Rambus, Samsung und SiS. Der neue 4-Kanal Chipsatz wird gleich vier 1200 MHz Speicherkanäle nutzen, die zusammen mit weiteren Verbesserungen der Architektur, eine Bandbreite von bis zu 16 GB/sec ermöglichen. Erste Samples des Chips werden für das dritte Quartal 2003 erwartet. Hier die Pressemitteilung...

"Taipei, Taiwan - 24. Februar 2003 /CebIT 2003, Halle 23, B16 - Die marktführenden Unternehmen Silicon Integrated Systems (SiS), Samsung Electronics Co., Ltd., und Rambus Inc., kündigen die gemeinsame Entwicklung des SiS R659 an. Es handelt sich dabei um ein innovatives RDRAM basiertes Chipset für den High-End Computer- und den Multimedia-Spiele Markt.

"SiS ist hoch erfreut darüber, gemeinsam mit Samsung und Rambus ein High-End Chipset mit RDRAM Technologie zu entwickeln," so Steffen Chen, Senior Vice President bei SiS, einem der Marktführer von Core-Logic Produkten und Grafik Chips. "SiS fühlt sich seinen Kunden traditionell verpflichtet, hochleistungsfähige Produkte mit dem besten Preis-/Leistungsverhältnis anzubieten." R659 ist das zweite und jüngste Mitglied der RDRAM Produkt-Familie von SiS. Durch die Integration der Hochgeschwindigkeits - Schnittstelle und der Memory Controller Technologie von Rambus, nutzt das R659 Chipset vier 1200MHz RDRAM Speicherkanäle gleichzeitig. Dadurch erhöht sich die Speicher-Bandbreite auf 9,6Gbyte/sec, das sind 50% mehr als bei herkömmlichen Dual-Channel DDR Chipsets.

Des weiteren wird aufgrund architektonischer Erweiterungen eine höhere Performance durch kürzere Antwortzeiten erzielt und die Speicherkapazität auf bis zu 16 GB erhöht. "Die gemeinsame Entwicklung kombiniert aktuellstes Core-Logic Design mit unübertroffener Speicher-Expertise und Fertigungsqualität," sagt Tae Sung Jung, Vice President of Memory Product Planning and Engineering bei Samsung, dem weltgrößten Hersteller von Speicher-Chips. "Die 4-Kanal RDRAM Architektur ist eine richtungsweisende und elegante Lösung um Speicher-Bandbreite zu erhöhen. Damit wird unseren Kunden ein leichter Weg zur Verfügung gestellt, die Performance ihrer Systeme zu steigern." Durch die Verwendung von Standard RIMM Modulen, die heutzutage überall verfügbar sind und von namhaften Herstellern unterstützt werden, erreicht das innovative RDRAM Chipset Grafikkarte eine noch nie dagewesene Performance. Die neuste Rambus-Lösung von SiS vereint den SiSR659 mit dem SiS964 in einer South Bridge, die mit USB 2.0 mit bis zu 8 Ports und Serial ATA ausgestattet ist.

"Performance ist das Fundament des heutigen PC Markts. Asus ist immer daran interessiert, Chipsets mit der höchsten Bandbreite mit den schnellsten Prozessoren zu kombinieren," so Jerry Shen, Senior Vice President bei Asustek. "Wir begrüßen die Entscheidung von SiS und Samsung, innovative Lösungen den Motherboard-Herstellern zu Verfügung zu stellen." Die Auslieferung von Mustern des SiSR659 ist für das 3. Quartal 2003 geplant..."

Quelle: E-Mail, Autor: Patrick von Brunn
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