Chartered Semiconductor Manufacturing, IBM und Infineon Technologies haben heute eine gemeinsame Vereinbarung zur Entwicklung von Fertigungsprozessen in 0,065 µm Technologie bekannt gegeben. Diese Vereinbarung kombiniert die langjährigen Erfahrungen von Infineon bei der Entwicklung von Halbleitern mit geringer Leistungsaufnahme und die branchenführende Prozesstechnologie von IBM sowie das Engagement von Chartered bei der Entwicklung einer allgemeinen Foundry-Plattform, die von der 90 nm Technologie über die nächste Fertigungsgeneration (die 65 nm Technologie) bis hin zur zukünftigen 0,045 Fertigungstechnik skalierbar ist. Finanzielle Details zu der Vereinbarung wurden nicht bekannt gegeben...
Die Entwicklungsarbeiten werden im kürzlich eröffneten 300 Millimeter Entwicklungslabor von IBM in East Fishkill im Bundesstaat New York aufgenommen. In dem Advanced Semiconductor Technology Center bzw. ASTC 300 genannten Werk, das seit einem Monat in Betrieb ist, haben IBM und Chartered als eine der Ersten bereits 65 Nanometer Wafer entwickelt...
FRITZ! nutzt die IFA 2026 als Bühne für die Vorstellung der FRITZ!Box DSL/Fiber 7-90, die den Auftakt einer neuen FRITZ!Box-Generation...
AGON by AOC feiert auf der Gamescom 2026 (Halle 8.1, Stand C-060) sein Messe-Comeback und präsentiert erstmals seit 2019 wieder...
XERON nutzt die gamescom 2026, um mit der NEX L360 ARGB eine neue 360-mm-All-in-One-Wasserkühlung für Intel- und AMD-Prozessoren vorzustellen. Der...
Im zurückliegenden Monat gab es wieder einige spannende Themen im Bereich Newsmeldungen sowie interessante Artikel und Produkttests. Folgend möchten wir...
Die gamescom 2026 hat ihre Rolle als weltweit größte Messe für Computer- und Videospiele weiter ausgebaut. Insgesamt 368.000 Besucherinnen und...
Der DUO Link V3 von PNY bringt dank zweier USB-Schnittstellen der Typen A und C reichlich Flexibilität in der Handhabung. Wir haben uns das Modell mit großzügigen 1 TB Speicherkapazität im Test genauer angesehen.
Mit dem PNY PRO Elite V3 haben wir heute einen USB-C-Stick mit USB 3.2 Gen2 Geschwindigkeit im Test. Das Modell mit 256 GB erreicht lesend bis zu 1.000 MB/s und 800 MB/s beim Schreiben. Mehr dazu in unserem Praxistest.