NEWS / Intel präsentiert Ultra-Low-Power 65 nm Fertigungsverfahren

Intel entwickelt eine besonders stromsparende Variante seines 65 nm Fertigungsverfahren für Mikroprozessoren, so das Unternehmen am gestrigen Dienstag. Diese Ultra-Low-Power Version ermöglicht es, Chips mit extrem geringem Stromverbrauch für mobile Plattformen und Geräte mit kleinem Formfaktor herzustellen. Dieses Verfahren wird der zweite Fertigungsprozess auf Basis der Intel 65 Nanometer-Technologie sein.

Intels High Performance 65 Nanometer-Verfahren weist gegenüber dem derzeitigen 90 nm Fertigungsverfahren sowohl hinsichtlich des Stromverbrauchs als auch der Performance klare Vorteile auf. Intels Ultra-Low Power 65 nm Herstellungsverfahren wurde eine Reihe an Modifikationen am Transistoraufbau vorgenommen. Diese verringern erheblich die drei Hauptquellen von Transistor-Leckströmen – Sub-Threshold-Leakage, Junction-Leakage und Gate-Oxid-Leakage. Das neue Verfahren nutzt Intels zweite Generation des Strained-Silicon Halbleiterverfahrens. Weitere Merkmale dieser Fertigungstechnik sind acht Kupfer-Metalllagen, Low-k-Dielektrika und ein höherer Steuerstrom, der die Schaltgeschwindigkeit des Transistors signifikant beschleunigt, wobei die Herstellungskosten nur um 2 Prozent höher ausfallen. Durch Einsatz des 65 nm Verfahrens bei der Chipherstellung lässt sich die Anzahl der Transistoren auf einem Prozessor gegenüber der 90 nm Technologie verdoppeln.

Mit beiden 65 nm Fertigungsverfahren ist Intel in der Lage Transistoren herzustellen, die eine Gate-Länge von nur 35 nm messen. Zum Vergleich: Aktuell haben Transistoren, die in den Pentium 4 Prozessoren verwendet werden, eine Gatelänge von 50 nm.